Renesas Electronics präsentiert Power-MOSFETs mit kompaktem Gehäuse und verbesserter Leistung für Automotive-Anwendungen
(pressebox) Düsseldorf, 18.01.2011 – Renesas Electronics, ein führender Anbieter modernster Halbleiterlösungen, präsentiert 32 neue N-Kanal Power-MOSFETs (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)…
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